MEMS压力传感器的关键技术包括：

结构设计技术：如聚众CD0325采用的特殊结构设计实现抗温漂和温度补偿，以及Melexis的Triphibian技术实现高压感测和液体接触测量。

制造工艺技术：包括Cavity-SOI工艺实现腔体深度和膜片厚度的高一致性控制，Si-Si直接键合技术构建高气密性全硅封装，以及压阻扩散及应力优化工艺确保低温漂、高稳定性和高重复性。

温度补偿技术：如聚众芯片自带温度补偿设计，以及明石微纳的高性能信号调理芯片对MEMS压阻芯体输出进行热补偿。

微加工技术：MEMS技术允许传感器芯片面积小于0.25mm，实现小尺寸、低功耗设计，适合植入式/便携式设备。

封装技术：如DIP、SOP、LGA等封装形式，以及氟硅胶保护技术避免湿气、油和弱酸弱碱的影响。

高精度制造技术：如航天704所的万分级高精度MEMS谐振式压力传感器，精度比传统传感器高1-2个数量级，具有数字化输出、抗干扰、长寿命和抗辐照等优点。

校准与测试技术：如晶圆级测试与温漂补偿体系支撑高一致性规模化生产，以及出厂校准确保高精度测量。